... zolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a douaVc nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni drena , si o tensiune pozitiva pe grila . Tensiunea Vds mare , duce la campul electric intern intens , trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata .Pentru stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata tranzistor blocatse expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator. Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tuneli1ss . Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit T2 si tranzistorul prezentat mai sus T1 care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie stearsa , grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat. Stergerea informatiei din celula se face astfel se aplica tensiunea pozitiva20 V pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica 20V pe linia de programare .Datorita campului electric intern mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata ,formand o sarcina negativa . Inscrierea informatiei in celula se face aplicand 20V pe linia selectie cuvantL si 18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero .Campul electric format intre grila si substrat substrat ,- grila smulge electroni din grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin formarea canalului n intre drena si sursa.OPRjSiVYi4DF5mHsH5mHsHCJmHsH6CJCJ5CJ56CJ!OQR
S qriàS1FNaaFaaaa5 ... Download