... e ROM programabileProgramarea PROM-urilor se realizeaza prin asa numita ardere, in felul urmator un modul de memorie integrata este alcatuit din matrici de celule de memorie bazate pe contacte electrice bistabile, starea dechis fiind codificata 0 logic, iar starea inchis 1 logic. Combinarea acestora in functie de coordonatele xy ale matricei conduce la obtinerea de coduri citite sau inscrise. In memoria PROM, fiecare celula de memorie este conectata in serie cu un element fuzibil de aluminiu sau nichel-crom, avand lungimea de cativa m. In timpul programarii memoriei cu ajutorul unui dispozitiv comandat prin calculator, segmental fuzibil poate fi distrus prin ardere la transmiterea unui current de 0,1-1 A. Distrugerea legaturii determina memorarea unei stari sau mentinerea legaturii, alta stare binara. Capacitatea memoriei indica numarul de cuvinte de calculator octet sau codul unui caracter posibil de memorat. Se exprima in Kocteti, Kbyte, Kcuvinte, acesta din urma pentru cuvinte codificate cu 8,16 sau chiar 32 biti.Memorii RAM Memoriile RAM RANDOM ACCES MEMORIES memorii cu posibilitati de citire sau inscriere sunt specializate pentru inregistrarea datelor sau rezultatelor. Ca principiul de functionare, memoriile RAM realizate prin tehnica MOS pot fi statice sau dinamice, continutul memoriei improspatandu-se la 1-2 ms. Prezinta dezavantajul volatizarii stergerii informatiei la intreruperea alimentarii cu energie electrica. Prevenirea intreruperilor nedorite se obtine prin alimentarea cu o baterie la bornele circuitului RAM.Momoriile RAM se realizeaza atat in tehnologie bipolara,cat si in tehnologie MOS. Celulele de memorie bipolare sunt de tip staticretin imformatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de tensiune.Celulele de memorie de tip MOS pot fi statice,fie dinamice.Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele staticePutere consumata in repaus este mult mai micaNumarul de trazistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se pot realiza memorii de capacitate mai mare pe cip,la un pret de cost mai mic.Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine,tehnologic sunt mai usor de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat cel al memoriilor cu tranzistori bipolari. Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schinb consumul lor este mult mai mic.Memoriile RAM in tehnologia TTL utilizeaza de regula tranzistoare multiemitor.DATE DE CATALOGTipuri reprezentative de memorii integrate7481 memorie citeste scrie RAM de 16 biti. 14 13 12 11 10 9 8 3JH 333333333 3 33 1 2 3 4 5 6 7 0,1- scrie,,0, scrie ,,1 S0,S1- citeste,,0,citeste,,17489 RAM bipolar de 64 biti 16 x 4 16 15 14 13 12 11 10 9 1 2 3 4 5 6 7 8 MOD CE E In DnCITESTE 0 1 XDate memorateSCRIE 0 0 0 1 1SCRIE 1 0 0 0 0NEACTIVAT 1 X X 1Functionarea memoriei este permisa pentru CE CHIP ENABLE 0 astfelpentru E RITE ENABKLE 1 are loc citirea pe D1 - D4pentru E 0 se inscriu in memorie datele de la intrarile I1 s I4.Memoria inverseaza datele la citire.MMN 2102 RAM MOS static de 1024 x 1 bit NMOS. 16 15 ... Download